බලශක්ති ඉලෙක්ට්‍රොනික උපකරණවල GTO ස්නබර් ධාරිත්‍රකය

කෙටි විස්තරය:

ස්විචින් පරිපථ සඳහා භාවිතා කරන ඩයෝඩ සඳහා ස්නබර් පරිපථ අත්යවශ්ය වේ.ප්‍රතිලෝම ප්‍රතිසාධන ක්‍රියාවලියේදී පැන නැගිය හැකි අධි වෝල්ටීයතා ස්පයික් වලින් ඩයෝඩයක් සුරැකිය හැක.

අපට විද්‍යුත් තැපෑල එවන්න PDF ලෙස බාගන්න

නිෂ්පාදන විස්තර

නිෂ්පාදන ටැග්

තාක්ෂණික දත්ත

මෙහෙයුම් උෂ්ණත්ව පරාසය	උපරිම.මෙහෙයුම් උෂ්ණත්වය.,ඉහළ,උපරිම: + 85℃ඉහළ කාණ්ඩයේ උෂ්ණත්වය: +85℃පහළ කාණ්ඩයේ උෂ්ණත්වය:-40℃
ධාරිතාව පරාසය	0.22-3μF
ශ්රේණිගත වෝල්ටීයතාවය	3000V.DC～10000V.DC
Cap.tol	±5%(J) ;±10%(K)
වෝල්ටීයතාවයට ඔරොත්තු දීම	1.35Un DC/10S
විසර්ජන සාධකය	tgδ≤0.001 f=1KHz
පරිවාරක ප්රතිරෝධය	C≤0.33μF RS≥15000 MΩ (20℃ 100V.DC 60S දී) C＞0.33μF RS*C≥5000S (20℃ 100V.DC 60S දී)
වර්ජන ධාරාවට ඔරොත්තු දීම	දත්ත පත්‍රිකාව බලන්න
ආයු අපේක්ෂාව	පැය 100000(Un; Θhotspot≤70°C)
යොමු සම්මතය	IEC 61071;

විශේෂාංගය

1. මයිලර් ටේප්, ෙරසින් සමඟ මුද්රා කර ඇත;

2. තඹ ගෙඩි ඊයම්;

3. අධි වෝල්ටීයතාවයට ප්රතිරෝධය, අඩු tgδ, අඩු උෂ්ණත්වය ඉහළ යාම;

4. අඩු ESL සහ ESR;

5. අධි ස්පන්දන ධාරාව.

අයදුම්පත

1. GTO Snubber.

2. විදුලිබල ඉලෙක්ට්‍රොනික උපකරණවල බහුලව භාවිතා වන විට උපරිම වෝල්ටීයතාවය, උච්ච ධාරා අවශෝෂණ ආරක්ෂාව.

සාමාන්ය පරිපථය

දළ සටහන් ඇඳීම

පිරිවිතර

Un=3000V.DC
ධාරිතාව (μF)	φD (මි.මී.)	L(මි.මී.)	L1(මි.මී.)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms(A)
0.22	35	44	52	25	1100	242	30
0.33	43	44	52	25	1000	330	35
0.47	51	44	52	22	850	399	45
0.68	61	44	52	22	800	544	55
1	74	44	52	20	700	700	65
1.2	80	44	52	20	650	780	75
1.5	52	70	84	30	600	900	45
2.0	60	70	84	30	500	1000	55
3.0	73	70	84	30	400	1200	65
4.0	83	70	84	30	350	1400	70
Un=6000V.DC
ධාරිතාව (μF)	φD (මි.මී.)	L(මි.මී.)	L1(මි.මී.)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms(A)
0.22	43	60	72	25	1500	330	35
0.33	52	60	72	25	1200	396	45
0.47	62	60	72	25	1000	470	50
0.68	74	60	72	22	900	612	60
1	90	60	72	22	800	900	75

Un=7000V.DC
ධාරිතාව (μF)	φD (මි.මී.)	L(මි.මී.)	L1(මි.මී.)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms(A)
0.22	45	57	72	25	1100	242	30
0.68	36	80	92	28	1000	680	25
1.0	43	80	92	28	850	850	30
1.5	52	80	92	25	800	1200	35
1.8	57	80	92	25	700	1260	40
2.0	60	80	92	23	650	1300	45
3.0	73	80	92	22	500	1500	50

Un=8000V.DC
ධාරිතාව (μF)	φD (මි.මී.)	L(මි.මී.)	L1(මි.මී.)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms(A)
0.33	35	90	102	30	1100	363	25
0.47	41	90	102	28	1000	470	30
0.68	49	90	102	28	850	578	35
1	60	90	102	25	800	800	40
1.5	72	90	102	25	700	1050	45
2.0	83	90	102	25	650	1300	50

Un=10000V.DC
ධාරිතාව (μF)	φD (මි.මී.)	L(මි.මී.)	L1(මි.මී.)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms(A)
0.33	45	114	123	35	1500	495	30
0.47	54	114	123	35	1300	611	35
0.68	65	114	123	35	1200	816	40
1	78	114	123	30	1000	1000	55
1.5	95	114	123	30	800	1200	70